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NEC、富士通和飞利浦挑战90nm MCU设计
文章出处:与非网
更新于2008-08-25 05:34:36

成本和良品率等因素一直制约着众多MCU供应商快速进入130nm或90nm工艺阶段。不过,NEC、富士通和飞利浦等三家公司开始尝试进攻这个利润空间可能更大的市场,并希望能规避标准90nm工艺的缺点。
富士通公司利用其90nm工艺在一块裸片上实现四个FR550 VLIW CPU内核、总线控制器和扩展的DMA逻辑电路。 对于NEC和富士通,内部总线都是一个严重的设计问题。“在MP211中,处理器间的总线经过调节以满足假想应用的特殊带宽和连接性要求,”NEC系统设备研究实验室的副总裁兼执行总经理Masao Fukuma表示,“另外,该总线还包括用于隔离处理器的硬件,所以几乎每一个内核都可以运行在安全的物理环境中。” 类似地,富士通的芯片围绕一个中央片上系统总线构建,带有一个高度复杂的DMA引擎(专用于片上存储器之间的数据传输)。这个设计占用的裸片面积几乎与一个FR550 CPU内核面积相同。它还有一个单独的DMA引擎和一个复杂的SDRAM控制器负责与外部存储器进行数据处理。


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